第三代半导体-氮化镓(GaN)技术洞察报告2021insightofInnovationinWidebandgapsemiconductor(GaN)industry氮化镓技术概况⚫技术简介⚫技术发展现状⚫技术创新概况2氮化镓（GaN）简介3产业链成熟、成本低，适用于低...

时间:2023-08-04 12:32栏目:综合其他

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时间:2023-08-03 22:16栏目:综合其他

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时间:2023-08-03 22:00栏目:综合其他

首个室温常压超导体TheFirstRoom-TemperatureAmbient-PressureSuperconductorSukbaeLee,Ji-HoonKim,Young-WanKwon摘要Forthefirsttimeintheworld,wesucceededinsynthesizingtheroom-temperaturesuperconductor(Tc...

时间:2023-08-03 21:31栏目:综合其他

Originofcorrelatedisolatedflatbandsincopper-substitutedleadphosphateapatite.Sin´eadM.Griffin1,21MaterialsSciencesDivision,LawrenceBerkeleyNationalLaboratory,Berkeley,California,94720,USAand2Molecu...

时间:2023-08-03 21:31栏目:综合其他

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时间:2023-08-03 11:42栏目:综合其他

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时间:2023-08-03 10:36栏目:综合其他

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时间:2023-08-01 22:53栏目:综合其他

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时间:2023-08-01 08:37栏目:综合其他

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时间:2023-07-31 10:24栏目:综合其他